DS1225AD-85、DS1225AD-85+、BQ4010YMA-85对比区别

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型号 DS1225AD-85 DS1225AD-85+ BQ4010YMA-85

描述 IC NVSRAM 64Kbit 85NS 28DIPMAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS1225AD-85+  芯片, 存储器, NVRAM为8K ×8非易失性SRAM （ 5 V ， 3.3 V ） 8 k x 8 NONVOLATILE SRAM (5 V, 3.3 V)

数据手册 ---

制造商 Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信) TI (德州仪器)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 28 28 28

封装 DIP-28 DIP-28 DIP-28

电源电压(DC) 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V

供电电流 - - 50 mA

存取时间 85 ns 85 ns 85 ns

存取时间(Max) - - 85 ns

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ 0 ℃

电源电压 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V

电源电压(Max) - 5.5 V 5.5 V

电源电压(Min) - 4.5 V 4.5 V

频率 - 85 GHz -

针脚数 - 28 -

时钟频率 85.0 GHz 85.0 GHz -

内存容量 8000 B 8000 B -

负载电容 5.00 pF - -

长度 39.12 mm 39.37 mm 37.72 mm

宽度 18.29 mm 18.29 mm 18.42 mm

高度 9.4 mm 10.67 mm 9.4 mm

封装 DIP-28 DIP-28 DIP-28

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Unknown Unknown Obsolete

包装方式 Tube Each Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - - EAR99