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BAT54VV、BAT54VV,115、BCP56-10,115对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BAT54VV BAT54VV,115 BCP56-10,115

描述 NXP  BAT54VV  小信号肖特基二极管, 三独立式, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 125 °CNXP  BAT54VV,115  小信号肖特基二极管, 三独立式, 30 V, 100 mA, 800 mV, 600 mA, 125 °CNXP  BCP56-10,115  单晶体管 双极, NPN, 80 V, 180 MHz, 640 mW, 1 A, 63 hFE

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 肖特基二极管二极管阵列双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6 4

封装 SOT-666 SOT-666 TO-261-4

频率 - - 180 MHz

针脚数 6 6 4

极性 - - NPN

耗散功率 - - 640 mW

击穿电压(集电极-发射极) - - 80 V

集电极最大允许电流 - - 1A

最小电流放大倍数(hFE) - - 63 @150mA, 2V

额定功率(Max) - - 960 mW

直流电流增益(hFE) - - 63

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) - - 960 mW

正向电压 320 mV 800mV @100mA -

正向电流 200 mA 100 mA -

最大正向浪涌电流(Ifsm) 600 mA 600 mA -

正向电压(Max) 800 mV 800 mV -

正向电流(Max) - 200 mA -

反向恢复时间 5 ns - -

工作结温(Max) 125 ℃ - -

长度 - 1.7 mm 6.7 mm

宽度 - 1.3 mm 3.7 mm

高度 - 0.6 mm 1.7 mm

封装 SOT-666 SOT-666 TO-261-4

工作温度 -65℃ ~ 125℃ -65℃ ~ 125℃ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17