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IRF9530、IRF9530NLPBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF9530 IRF9530NLPBF

描述 12A , 100V , 0.300欧姆,P沟道功率MOSFET 12A, 100V, 0.300 Ohm, P-Channel Power MOSFETsTO-262P-CH 100V 14A

数据手册 --

制造商 Intersil (英特矽尔) Infineon (英飞凌)

分类

基础参数对比

安装方式 - Through Hole

封装 - TO-262

引脚数 - 3

额定电压(DC) - -

额定电流 - -

漏源极电阻 - -

极性 - P-CH

耗散功率 - -

漏源极电压(Vds) - 100 V

栅源击穿电压 - -

连续漏极电流(Ids) - 14A

上升时间 - 58 ns

输入电容(Ciss) - 760pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) - 3800 mW

下降时间 - 46 ns

工作温度(Max) - 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

封装 - TO-262

工作温度 - -

产品生命周期 Unknown Obsolete

包装方式 - -

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 - -