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JAN2N2906AUA、JANS2N2906AUA、2N2906AUA对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JAN2N2906AUA JANS2N2906AUA 2N2906AUA

描述 PNP小信号硅晶体管 PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTORPNP小信号硅晶体管 PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTOR抗辐射 RADIATION HARDENED

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SMD-4 - SMD-4

引脚数 - - 4

击穿电压(集电极-发射极) 60 V - 60 V

最小电流放大倍数(hFE) 40 @150mA, 10V - 40 @150mA, 10V

额定功率(Max) 500 mW - 500 mW

极性 - - PNP

集电极最大允许电流 - - 0.6A

工作温度(Max) - - 200 ℃

工作温度(Min) - - -65 ℃

耗散功率(Max) - - 500 mW

封装 SMD-4 - SMD-4

工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) - -65℃ ~ 200℃ (TJ)

材质 - - Silicon

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tray Bulk Tray

RoHS标准 - Non-Compliant

含铅标准 -