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1N6348USE3、JANTXV1N6348US、JAN1N6348US对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N6348USE3 JANTXV1N6348US JAN1N6348US

描述 B-MELF 100V 0.5W(1/2W)B-MELF 100V 0.5W(1/2W)B-MELF 100V 0.5W(1/2W)

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

封装 B-MELF SQ-MELF B-MELF

耗散功率 500 mW 500 mW 500 mW

稳压值 100 V 100 V 100 V

容差 - ±5 % -

正向电压 - 1.4V @1A -

额定功率(Max) - 500 mW -

封装 B-MELF SQ-MELF B-MELF

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - - Bulk

工作温度 - -65℃ ~ 175℃ -

RoHS标准 RoHS Compliant -

含铅标准 - -