锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

1N751CE3TR、JANTX1N751C-1、1N751C对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N751CE3TR JANTX1N751C-1 1N751C

描述 DO-35 5.1V 0.5W(1/2W)SILICON 400毫瓦齐纳二极管 SILICON 400 mW ZENER DIODESSILICON 400毫瓦齐纳二极管 SILICON 400 mW ZENER DIODES

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

封装 DO-35 DO-204AH DO-35

引脚数 - 2 2

耗散功率 500 mW - -

稳压值 5.1 V 5.1 V 5.1 V

测试电流 - 20 mA 20 mA

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃ -65 ℃

容差 - ±2 % -

正向电压 - 1.1V @200mA -

额定功率(Max) - 500 mW -

封装 DO-35 DO-204AH DO-35

产品生命周期 Not Recommended for New Design Active Obsolete

包装方式 - Bag -

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 - -

工作温度 - -65℃ ~ 175℃ -