1N6622E3、JAN1N6622、1N6622对比区别

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型号 1N6622E3 JAN1N6622 1N6622

描述 1N6622E3Diode Gen Purp 660V 2A AxialAxial Leaded Hermetically Sealed Ultra Fast Recovery Rectifier Diode

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Semtech Corporation

分类 TVS二极管

安装方式 - Through Hole -

引脚数 - 2 -

封装 - A, Axial -

正向电压 - 1.6V @2A -

反向恢复时间 - 30 ns -

正向电流 - 1200 mA -

正向电压(Max) - 1.6V @2A -

正向电流(Max) - 1200 mA -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

封装 - A, Axial -

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 - Bulk -

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant -

含铅标准 - Contains Lead -