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1N752C-1E3TR、JANTX1N752C-1、1N752C对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N752C-1E3TR JANTX1N752C-1 1N752C

描述 DO-35 5.6V 0.5W(1/2W)SILICON 400毫瓦齐纳二极管 SILICON 400 mW ZENER DIODESLeaded Zener Diode General Purpose

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Central Semiconductor

分类 齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

封装 DO-35 DO-204AH DO-35

引脚数 - 2 -

耗散功率 500 mW 0.5 W -

稳压值 5.6 V 5.6 V -

容差 - ±5 % -

正向电压 - 1.1V @200mA -

测试电流 - 20 mA -

额定功率(Max) - 500 mW -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

封装 DO-35 DO-204AH DO-35

长度 - 5.08 mm -

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 - Bulk -

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant -

含铅标准 - -

工作温度 - -65℃ ~ 175℃ -