IRF640ST4、IRF640STRLPBF、IRF640S对比区别

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型号 IRF640ST4 IRF640STRLPBF IRF640S

描述 Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3Pin(2+Tab) D2PAK T/RMOSFET N-CH 200V 18A D2PAKN - CHANNEL 200V - 0.150ohm - 18A TO- 263 MESH合成] MOSFET N - CHANNEL 200V - 0.150ohm - 18A TO-263 MESH OVERLAY] MOSFET

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) Vishay Siliconix ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 D2PAK TO-263-3 TO-263-3

耗散功率 - 3.1W (Ta), 130W (Tc) 125 W

漏源极电压(Vds) - 200 V -

输入电容(Ciss) - 1300pF @25V(Vds) -

耗散功率(Max) - 3.1W (Ta), 130W (Tc) -

通道数 - - 1

漏源极电阻 - - 180 mΩ

漏源击穿电压 - - 200 V

上升时间 - - 27 ns

下降时间 - - 25 ns

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - 65 ℃

封装 D2PAK TO-263-3 TO-263-3

长度 - - 10.4 mm

宽度 - - 9.35 mm

高度 - - 4.6 mm

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) - -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free -