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MRF6VP11KHR5、MRF6VP11KHR6对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MRF6VP11KHR5 MRF6VP11KHR6

描述 晶体管, 射频FET, 110 V, 1.8 MHz, 150 MHz, NI-1230Trans RF MOSFET N-CH 110V 5Pin NI-1230 T/R

数据手册 --

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 MOS管晶体管

基础参数对比

安装方式 Screw Surface Mount

引脚数 4 5

封装 NI-1230S-4 NI-1230

频率 130 MHz 130 MHz

额定电流 5 mA 5 mA

无卤素状态 Halogen Free Halogen Free

针脚数 4 -

极性 N-Channel -

漏源极电压(Vds) 110 V 110 V

输出功率 1000 W 1000 W

增益 26 dB 26 dB

测试电流 150 mA 150 mA

输入电容(Ciss) 506pF @50V(Vds) 506pF @50V(Vds)

工作温度(Max) 225 ℃ 225 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃

额定电压 110 V 110 V

连续漏极电流(Ids) - 5.00 mA

封装 NI-1230S-4 NI-1230

高度 - 5.08 mm

工作温度 -65℃ ~ 225℃ -

产品生命周期 Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 -