PHD96NQ03LT、STD95N2LH5、934056846118对比区别

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型号 PHD96NQ03LT STD95N2LH5 934056846118

描述 N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET N-channel TrenchMOS logic level FETN 通道 STripFET™ V，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsPower Field-Effect Transistor

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) ST Microelectronics (意法半导体) Nexperia (安世)

分类 MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 - 3 -

封装 DPAK TO-252-3 -

极性 N-CH N-Channel -

耗散功率 - 70 W -

输入电容 - 1817 pF -

漏源极电压(Vds) 25 V 25 V -

连续漏极电流(Ids) 75A 40.0 A -

上升时间 - 38 ns -

输入电容(Ciss) - 1817pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) - 70 W -

下降时间 - 7 ns -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 70W (Tc) -

长度 - 6.6 mm -

宽度 - 6.2 mm -

高度 - 2.4 mm -

封装 DPAK TO-252-3 -

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -