1N5529B、JANTX1N5529B-1、MZ5529B对比区别

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型号 1N5529B JANTX1N5529B-1 MZ5529B

描述 DO-35 9.1V 400mW无铅封装用于表面安装齐纳二极管500mW的 LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mWLow voltage avalanche passivated silicon oxide zener regulator diodes, 0.5W(1/2W), zener voltage 9.1V

数据手册 ---

制造商 Central Semiconductor Microsemi (美高森美) Motorola (摩托罗拉)

分类 齐纳二极管

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 - 2 -

封装 DO-35 DO-35 -

容差 - ±5 % -

正向电压 - 1.1V @200mA -

耗散功率 400 mW 417 mW -

测试电流 - 1 mA -

稳压值 9.1 V 9.1 V -

额定功率(Max) - 500 mW -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

长度 - 5.08 mm -

封装 DO-35 DO-35 -

工作温度 - -65℃ ~ 175℃ -

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 - Bag -

RoHS标准 - Non-Compliant -

含铅标准 - -