BSO083N03MSG、SI4384DY-T1-E3、SI4410DYTRPBF对比区别

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型号 BSO083N03MSG SI4384DY-T1-E3 SI4410DYTRPBF

描述 的OptiMOS ™ 3 M系列功率MOSFET OptiMOS™3 M-Series Power-MOSFETMOSFET N-CH 30V 10A 8-SOICINFINEON  SI4410DYTRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 30 V, 0.01 ohm, 10 V, 1 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Vishay Siliconix Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 8 8

封装 - SOIC-8 SOIC-8

通道数 - - 1

针脚数 - - 8

漏源极电阻 - - 0.01 Ω

极性 - N-Channel N-Channel

耗散功率 - 1.47 W 2.5 W

阈值电压 - - 1 V

输入电容 - - 1585 pF

漏源极电压(Vds) - 30 V 30 V

漏源击穿电压 - - 30 V

上升时间 - - 7.7 ns

输入电容(Ciss) - - 1585pF @15V(Vds)

额定功率(Max) - - 2.5 W

下降时间 - - 44 ns

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - - 55 ℃

耗散功率(Max) - 1.47W (Ta) 2.5W (Ta)

连续漏极电流(Ids) - 15.0 A -

长度 - 5 mm 4.9 mm

宽度 - - 3.9 mm

高度 - 1.55 mm 1.75 mm

封装 - SOIC-8 SOIC-8

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Unknown Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 -