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70V639S12BCI、70V639S12BFI8、70V639S12BFGI对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 70V639S12BCI 70V639S12BFI8 70V639S12BFGI

描述 SRAM Chip Async Dual 3.3V 2.25M-Bit 128K x 18 12ns 256Pin CABGA TrayIC SRAM 2.25Mbit 12NS 208CABGADual-Port SRAM, 128KX18, 12ns, CMOS, PBGA208, 15 X 15MM, 1.4MM HEIGHT, 0.8MM PITCH, GREEN, FPBGA-208

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 RAM芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 - - Surface Mount

引脚数 256 208 208

封装 LBGA-256 LFBGA-208 CABGA-208

存取时间 - - 12 ns

电源电压 3.15V ~ 3.45V 3.15V ~ 3.45V 3.15V ~ 3.45V

电源电压(Max) - - 3.45 V

电源电压(Min) - - 3.15 V

长度 17.0 mm 15.0 mm 15.0 mm

宽度 17.0 mm 15.0 mm 15.0 mm

封装 LBGA-256 LFBGA-208 CABGA-208

厚度 1.40 mm 1.40 mm 1.40 mm

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube, Rail Tape & Reel (TR) Bulk

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead Lead Free