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ZXMN2AM832TA、ZXMN2AMCTA对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 ZXMN2AM832TA ZXMN2AMCTA

描述 MOSFET N-CHAN DUAL 20V 8MLPMOSFET 2N-CH 20V 2.9A DFN

数据手册 --

制造商 Diodes (美台) Diodes (美台)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 8

封装 VDFN-8 DFN-8

通道数 - 2

极性 N-Channel N-CH

耗散功率 1.50 W 1.5 W

阈值电压 - 700 mV, 700 mV

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V

漏源击穿电压 20.0 V ±20 V

连续漏极电流(Ids) 3.70 A 3.7A

上升时间 2.60 ns 2.6 ns

输入电容(Ciss) 299pF @15V(Vds) 299pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 1.5 W 1.7 W

下降时间 - 1.3 ns

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) - 2450 mW

额定电压(DC) 20.0 V -

额定电流 3.00 A -

漏源极电阻 120 mΩ -

输入电容 299 pF -

栅电荷 3.10 nC -

栅源击穿电压 ±12.0 V -

封装 VDFN-8 DFN-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

ECCN代码 - EAR99