FDS6984AS、SI4834DY、NTGS4111PT1G对比区别

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型号 FDS6984AS SI4834DY NTGS4111PT1G

描述 ON Semiconductor PowerTrench, SyncFET 系列 双 Si N沟道 MOSFET FDS6984AS, 5.5 A，8.5 A, Vds=30 V, 8引脚Dual N-Channel 30V (D-S) MOSFET with Schottky DiodeON SEMICONDUCTOR  NTGS4111PT1G  场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, 4.7A, TSOP

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Vishay Siliconix ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SOIC-8 SO SOT-23-6

引脚数 8 - 6

封装 SOIC-8 SO SOT-23-6

长度 5 mm - 3.1 mm

宽度 3.99 mm - 1.5 mm

高度 1.5 mm - 1 mm

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

额定电压(DC) - - -30.0 V

额定电流 - - -4.70 A

通道数 - - 1

针脚数 8 - 6

漏源极电阻 0.017 Ω - 60 mΩ

极性 - - P-Channel

耗散功率 2 W - 1.25 W

阈值电压 1.7 V - 3 V

漏源极电压(Vds) 30 V - 30 V

漏源击穿电压 - - 30 V

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) - - 4.70 A

输入电容(Ciss) 420pF @15V(Vds) - 750pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 900 mW - 630 mW

下降时间 - - 22 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 2000 mW - 630mW (Ta)

工作温度 - - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

ECCN代码 - - EAR99