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IRFS4615PBF、STB75NF20、STB35NF10T4对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFS4615PBF STB75NF20 STB35NF10T4

描述 N沟道 150V 33AN 通道 STripFET™,STMicroelectronicsN 通道 STripFET™,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

额定电压(DC) - - 100 V

额定电流 - - 40.0 A

漏源极电阻 42 mΩ 0.028 Ω 0.03 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 144 W 190 W 115 W

阈值电压 5 V 3 V 3 V

漏源极电压(Vds) 150 V 200 V 100 V

漏源击穿电压 - 200 V 100 V

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 33.0 A 47.0 A, 75.0 A 40.0 A

上升时间 - 33 ns 60 ns

输入电容(Ciss) 1750pF @50V(Vds) 3260pF @25V(Vds) 1550pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 144 W 190 W 115 W

下降时间 - 29 ns 15 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -50 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 190W (Tc) 115W (Tc)

产品系列 IRFS4615 - -

输入电容 1750pF @50V - -

针脚数 - 3 -

长度 10.67 mm 10.4 mm 10.75 mm

宽度 - 9.35 mm 10.4 mm

高度 4.83 mm 4.6 mm 4.6 mm

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -50℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2014/12/17 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 -