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BZX55B5V1-TR、NZX5V1C,133、H5C2-AP对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BZX55B5V1-TR NZX5V1C,133 H5C2-AP

描述 500mW,BZX55B 系列,Vishay Semiconductor### 齐纳二极管,Vishay SemiconductorALF 5.1V 0.5W(1/2W)DO-35 5.1V 0.5W(1/2W)

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) NXP (恩智浦) Micro Commercial Components (美微科)

分类 齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 2 2 -

封装 DO-35 DO-204AH DO-35

容差 ±2 % ±2 % -

正向电压 1.5V @200mA 1.5V @200mA -

耗散功率 500 mW 500 mW 500 mW

测试电流 5 mA 5 mA -

稳压值 5.1 V 5.1 V 5.1 V

正向电压(Max) 1.5V @200mA - -

额定功率(Max) 500 mW 500 mW -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

耗散功率(Max) 0.5 W 500 mW -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

长度 3.9 mm 4.25 mm -

宽度 1.7 mm 1.85 mm -

高度 1.7 mm 1.85 mm -

封装 DO-35 DO-204AH DO-35

工作温度 -65℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ -

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free -