锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

BU2508AW、BUL510、BUF420M对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BU2508AW BUL510 BUF420M

描述 硅扩散型功率晶体管 Silicon Diffused Power Transistor高压快速开关NPN功率晶体管 HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR高压快速开关NPN功率晶体管 HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-247 TO-220-3 TO-3

引脚数 - 3 3

极性 NPN NPN NPN

击穿电压(集电极-发射极) 700 V 450 V 450 V

集电极最大允许电流 8A 10A 30A

额定电压(DC) - 450 V 450 V

额定电流 - 10.0 A 30.0 A

耗散功率 - 100 W 275 W

最小电流放大倍数(hFE) - 15 @1A, 5V -

额定功率(Max) - 100 W 275 W

直流电流增益(hFE) - 15 -

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃ 65 ℃

耗散功率(Max) - 100000 mW 275 W

封装 TO-247 TO-220-3 TO-3

长度 - - 39.5 mm

宽度 - - 26.2 mm

高度 - - 8.7 mm

产品生命周期 Unknown Active Not Recommended for New Designs

包装方式 - Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

工作温度 - 150℃ (TJ) 200℃ (TJ)