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PHE13003C,126、PHE13003C,412、PHD13003C,126对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PHE13003C,126 PHE13003C,412 PHD13003C,126

描述 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Single NPN 1.5A 2.1WPHE13003C,412 袋装PHD13003C,126 盒装

数据手册 ---

制造商 We En Semiconductor We En Semiconductor We En Semiconductor

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-92-3 TO-226-3 TO-226-3

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 2.1 W 2.1 W -

击穿电压(集电极-发射极) 400 V 400 V 400 V

集电极最大允许电流 1.5A 1.5A 1.5A

最小电流放大倍数(hFE) 5 @1A, 2V 5 @1A, 2V 5 @1A, 2V

最大电流放大倍数(hFE) 25 - -

额定功率(Max) 2.1 W 2.1 W 2.1 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 2100 mW 2100 mW 2100 mW

额定功率 - 2.1 W 2.1 W

针脚数 - 3 -

直流电流增益(hFE) - 17 -

封装 TO-92-3 TO-226-3 TO-226-3

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Bulk -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅 无铅