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IR21363JPBF、IR21363JTRPBF、IR21363SPBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IR21363JPBF IR21363JTRPBF IR21363SPBF

描述 INFINEON  IR21363JPBF  芯片, MOSFET驱动器 3相 高边&低边门驱动器 3Phs Drvr Sft Trn On Invrt 200nsMOSFET 和 IGBT 栅极驱动器,三相,Infineon### MOSFET 和 IGBT 驱动器,Infineon (International Rectifier)

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 FET驱动器FET驱动器FET驱动器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 32 32 28

封装 PLCC-44 PLCC-44 SOIC-28

上升/下降时间 125ns, 50ns 125ns, 50ns 125ns, 50ns

输出接口数 6 6 6

输出电流 200 mA 350 mA -

耗散功率 2000 mW 2 W 1600 mW

上升时间 - 190 ns -

下降时间 - 75 ns -

下降时间(Max) 75 ns 75 ns 75 ns

上升时间(Max) 190 ns 190 ns 190 ns

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 2000 mW 2000 mW 1600 mW

电源电压 12V ~ 20V 12V ~ 20V 12V ~ 20V

电源电压(DC) 12.0V (min) - 12.0V (min)

输出电压 620 V - -

针脚数 44 - -

电源电压(Max) 20 V - -

电源电压(Min) 12 V - -

长度 16.66 mm 16.66 mm 18.1 mm

宽度 16.66 mm 16.66 mm 7.6 mm

高度 - 3.69 mm 2.33 mm

封装 PLCC-44 PLCC-44 SOIC-28

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -