FDN360P、FDN360P_NL对比区别

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型号 FDN360P FDN360P_NL

描述 ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDN360P, 2 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装Single P-Channel PowerTrench MOSFET

数据手册 --

制造商 ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管

安装方式 Surface Mount -

引脚数 3 -

封装 SOT-23-3 SuperSOT

额定电压(DC) - -

额定电流 - -

额定功率 - -

针脚数 3 -

漏源极电阻 0.08 Ω -

极性 - P-CH

耗散功率 0.5 W -

阈值电压 1.9 V -

输入电容 - -

栅电荷 - -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V

漏源击穿电压 - -

栅源击穿电压 - -

连续漏极电流(Ids) - 2A

上升时间 13 ns -

输入电容(Ciss) 298pF @15V(Vds) -

额定功率(Max) 460 mW -

下降时间 6 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -

耗散功率(Max) 500 mW -

长度 2.92 mm -

宽度 1.4 mm -

高度 0.94 mm -

封装 SOT-23-3 SuperSOT

工作温度 - -

产品生命周期 Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free -

REACH SVHC标准 - -

REACH SVHC版本 - -

ECCN代码 - EAR99