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SI8235BB-C-ISR、SI8235BB-D-ISR对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SI8235BB-C-ISR SI8235BB-D-ISR

描述 门驱动器 2.5 kV 8 V UVLO dual isolated gate driverMOSFET DRVR 4A 2Out Non-Inv 16Pin SOIC W T/R

数据手册 --

制造商 Silicon Labs (芯科) Silicon Labs (芯科)

分类 FET驱动器电源管理

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 SOIC-16 SOIC-16

上升/下降时间 12ns (Max) 12ns (Max)

输出接口数 - 2

通道数 2 2

耗散功率 - 1200 mw

隔离电压 2500 Vrms 2500 Vrms

下降时间(Max) - 12 ns

上升时间(Max) - 12 ns

耗散功率(Max) - 1200 mW

电源电压 - 9.4V ~ 24V

封装 SOIC-16 SOIC-16

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free