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CY7C1520KV18-200BZC、CY7C1520KV18-250BZC对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY7C1520KV18-200BZC CY7C1520KV18-250BZC

描述 72兆位的DDR II SRAM的2字突发架构 72-Mbit DDR II SRAM 2-Word Burst Architecture72兆位的DDR II SRAM的2字突发架构 72-Mbit DDR II SRAM 2-Word Burst Architecture

数据手册 --

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 RAM芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 FBGA-165 FBGA-165

引脚数 - 165

存取时间 0.45 ns -

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V

时钟频率 - 250 MHz

位数 - 36

存取时间(Max) - 0.45 ns

封装 FBGA-165 FBGA-165

高度 - 0.89 mm

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown

包装方式 Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead

ECCN代码 - 3A991.b.2.a