IPB067N08N3GATMA1、IPB097N08N3G、IPB054N08N3GATMA1对比区别

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型号 IPB067N08N3GATMA1 IPB097N08N3G IPB054N08N3GATMA1

描述 INFINEON  IPB067N08N3GATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 80 V, 0.0055 ohm, 10 V, 2.8 V80V,70A,N沟道功率MOSFETINFINEON  IPB054N08N3GATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 80 V, 0.0046 ohm, 10 V, 2.8 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-263 D2PAK TO-263-3

引脚数 3 - 3

封装 TO-263 D2PAK TO-263-3

长度 10.31 mm - 10 mm

宽度 9.45 mm - 9.25 mm

高度 4.57 mm - 4.4 mm

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

额定功率 136 W - 150 W

针脚数 3 - 3

漏源极电阻 0.0055 Ω - 0.0046 Ω

极性 N-Channel - N-Channel

耗散功率 136 W - 150 W

阈值电压 2.8 V - 2.8 V

漏源极电压(Vds) 80 V - 80 V

连续漏极电流(Ids) 80A - 80A

上升时间 66 ns - 66 ns

输入电容(Ciss) 2890pF @40V(Vds) - 3570pF @40V(Vds)

下降时间 8 ns - 10 ns

工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 136 W - 150 W

工作温度 -55℃ ~ 175℃ - -55℃ ~ 175℃