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IS61LPS25618A-200B2I-TR、IS61LPS25618A-200B2LI-TR对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS61LPS25618A-200B2I-TR IS61LPS25618A-200B2LI-TR

描述 SRAM Chip Sync Dual 3.3V 4M-Bit 256K x 18 3.1ns 119Pin BGA T/RSRAM Chip Sync Dual 3.3V 4M-Bit 256K x 18 3.1ns 119Pin BGA T/R

数据手册 --

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 RAM芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 PBGA-119 BBGA-119

电源电压(DC) 3.30 V, 3.47 V (max) 3.30 V, 3.47 V (max)

时钟频率 200MHz (max) 200MHz (max)

电源电压 3.135V ~ 3.465V 3.135V ~ 3.465V

存取时间 3.1 ns -

工作温度(Max) 85 ℃ -

工作温度(Min) 40 ℃ -

电源电压(Max) 3.465 V -

电源电压(Min) 3.135 V -

封装 PBGA-119 BBGA-119

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅