1N5535B、JANTXV1N5535B-1、JAN1N5535B对比区别

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型号 1N5535B JANTXV1N5535B-1 JAN1N5535B

描述 DO-35 15V 400mW无铅封装用于表面安装齐纳二极管500mW的 LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mW15 V, 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-7

数据手册 ---

制造商 Central Semiconductor Microsemi (美高森美) Motorola (摩托罗拉)

分类 齐纳二极管

安装方式 Through Hole Through Hole -

封装 DO-35 DO-204AH -

容差 - ±5 % -

正向电压 - 1.1V @200mA -

稳压值 15 V 15 V -

额定功率(Max) - 500 mW -

耗散功率 400 mW - -

封装 DO-35 DO-204AH -

工作温度 - -65℃ ~ 175℃ -

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 - Bulk -

RoHS标准 - -

含铅标准 - -