FDT457N、FDT459N、STN4NF03L对比区别
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDT457N 晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 30 V, 0.043 ohm, 10 V, 1.6 VPowerTrench® N 通道 MOSFET，高达 9.9A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。STMICROELECTRONICS STN4NF03L 晶体管, MOSFET, N沟道, 6.5 A, 30 V, 0.039 ohm, 10 V, 1 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 4 3 4
封装 TO-261-4 TO-261-4 TO-261-4
额定电压(DC) 30.0 V 30.0 V 30.0 V
额定电流 5.00 A 6.50 A 6.50 A
通道数 1 - -
针脚数 4 - 4
漏源极电阻 0.043 Ω 0.031 Ω 0.039 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 3 W 3 W 3.3 W
阈值电压 1.6 V 1.6 V 1 V
输入电容 235 pF 365 pF 330 pF
栅电荷 4.20 nC 12.0 nC -
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
漏源击穿电压 30.0 V 30.0 V 30.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V ±16.0 V
连续漏极电流(Ids) 5.00 A 6.50 A 6.50 A
上升时间 12.0 ns 8.2 ns 100 ns
输入电容(Ciss) 235pF @15V(Vds) 365pF @15V(Vds) 330pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 1.1 W 1.1 W 3.3 W
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 3W (Ta) 3W (Ta) 3300 mW
下降时间 - 16 ns 22 ns
额定功率 - - 3.3 W
长度 6.5 mm 6.7 mm 6.5 mm
宽度 3.56 mm 3.7 mm 3.5 mm
高度 1.6 mm 1.7 mm 1.8 mm
封装 TO-261-4 TO-261-4 TO-261-4
工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99