VNB14NV04、VNB14NV04TR-E、VNB14NV04-E对比区别

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型号 VNB14NV04 VNB14NV04TR-E VNB14NV04-E

描述 “ OMNIFET II ” ：全AUTOPROTECTED功率MOSFET “OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFETVNB14NV04 单通道 低边 自保护 45 V 24 A 35 mOhm 功率MOSFET - D2PAKOMNIFET 全自动保护功率 MOSFET，STMicroelectronicsOMNIFET III 系列全自动保护低侧驱动器，根据坚固性标准进行了测量并提高了可靠性。 这些固态电源开关设计用于电感性或电阻负载，尤其是汽车环境。线性电流限制 热关闭 短路保护 ESD 保护 一体式夹 ### 智能电源开关，STMicroelectronics

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 FET驱动器FET驱动器FET驱动器

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

输出接口数 1 1 1

输出电流 - 24 A 18 A

供电电流 - 0.1 mA 0.1 mA

针脚数 - 3 3

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 74.0 W 74 W 74 W

漏源击穿电压 40.0 V 42.0 V 42.0 V

连续漏极电流(Ids) 12.0 A 14.0 A 14.0 A

上升时间 - 30 µs 350 ns

输出电流(Max) 12 A 12 A 12 A

输出电流(Min) - 12 A 12 A

输入数 1 1 1

下降时间 - 30 µs 150 ns

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 74000 mW 74000 mW 74000 mW

漏源极电阻 35.0 mΩ - -

长度 - - 10.4 mm

宽度 - - 9.35 mm

高度 - - 4.6 mm

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99