IRG4BC40FPBF、STGP19NC60SD对比区别

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型号 IRG4BC40FPBF STGP19NC60SD

描述 Trans IGBT Chip N-CH 600V 49A 160000mW 3Pin(3+Tab) TO-220AB TubeTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 125000mW 3Pin(3+Tab) TO-220 Tube

数据手册 --

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3

耗散功率 160 W 125000 mW

击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V

反向恢复时间 - 31 ns

额定功率(Max) 160 W 130 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 160000 mW 125000 mW

额定电压(DC) 600 V -

额定电流 49.0 A -

极性 N-Channel -

产品系列 IRG4BC40F -

上升时间 18 ns -

封装 TO-220-3 TO-220-3

高度 9.02 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC -

REACH SVHC版本 2014/12/17 -

ECCN代码 - EAR99