199D336X0025E6V1E3、199D336X5025E6V1E3、199D336X9025E6V1E3对比区别

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型号 199D336X0025E6V1E3 199D336X5025E6V1E3 199D336X9025E6V1E3

描述 CAP TANT 33uF 25V 20% RADIALCAP TANT 33uF 25V 5% RADIAL199D 系列 33 uF ±10 % 25 V 径向 固体 电解质钽电容

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 电容电容钽电容

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - - 2

封装 - - Radial

额定电压(DC) 25.0 V - 25.0 V

电容 33.0 µF 33.0 µF 33 μF

容差 ±20 % ±5 % ±10 %

工作温度(Max) - - 85 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

额定电压 25 V 25 V 25 V

高度 - - 15 mm

封装 - - Radial

工作温度 -55℃ ~ 125℃ -55℃ ~ 125℃ -55℃ ~ 125℃

介质材料 Tantalum - -

包装方式 Bulk Bulk Each

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free