JANTX2N6351、JANTXV2N6351、2N6351对比区别

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型号 JANTX2N6351 JANTXV2N6351 2N6351

描述 NPN达林顿功率硅晶体管 NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTORNPN达林顿功率硅晶体管 NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTORNPN达林顿功率硅晶体管 NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 4 4 4

封装 TO-33 TO-33 TO-33

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 1 W 1000 mW 1000 mW

击穿电压(集电极-发射极) 150 V 150 V 150 V

集电极最大允许电流 5A 5A 5A

最小电流放大倍数(hFE) 1000 @5A, 5V 1000 @5A, 5V -

额定功率(Max) 1 W 1 W -

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 200 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 1000 mW 1000 mW 1000 mW

封装 TO-33 TO-33 TO-33

工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Box Box Bulk

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99