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MRFE6VP6300HSR3、MRFE6VP6300HSR5对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MRFE6VP6300HSR3 MRFE6VP6300HSR5

描述 Trans RF MOSFET N-CH 130V 5Pin NI-780S T/RNXP MRFE6VP6300HSR5 RF FET Transistor, 125V, 100mA, 300W, 1.8MHz, 600MHz, NI-780S

数据手册 --

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 晶体管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 NI-780HS-4 NI-780S-4

引脚数 - 4

频率 230 MHz 230 MHz

无卤素状态 Halogen Free Halogen Free

输出功率 300 W 300 W

增益 26.5 dB 26.5 dB

测试电流 100 mA 100 mA

额定电压 130 V 130 V

耗散功率 - 300 W

漏源极电压(Vds) - 125 V

输入电容(Ciss) - 188pF @50V(Vds)

工作温度(Max) - 225 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃

耗散功率(Max) - 1050000 mW

电源电压 - 50 V

封装 NI-780HS-4 NI-780S-4

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17

重量 - 4570.3 mg

工作温度 - -65℃ ~ 225℃

ECCN代码 - EAR99