IR2101STRPBF、IR2103SPBF、IR2101SPBF对比区别

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型号 IR2101STRPBF IR2103SPBF IR2101SPBF

描述 INFINEON  IR2101STRPBF  芯片, IGBT/MOSFET, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 360mA输出, 150ns延迟, SOIC-8INFINEON  IR2103SPBF  双路芯片, MOSFET, 半桥, 10V-20V电源, 360mA输出, 150ns延迟, SOIC-8INTERNATIONAL RECTIFIER  IR2101SPBF  芯片, 场效应管, MOSFET驱动器, 高/低压侧, SOIC-8 新

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) International Rectifier (国际整流器)

分类 FET驱动器FET驱动器FET驱动器

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

电源电压(DC) 10.0V (min) 10.0V (min) 10.0V (min)

工作电压 10V ~ 20V - 10V ~ 20V

上升/下降时间 100ns, 50ns 100ns, 50ns -

输出接口数 2 2 2

输出电压 10V ~ 20V 620 V ≥10.0 V

输出电流 210 mA 270 mA -

通道数 2 2 -

针脚数 8 8 8

耗散功率 0.625 W 625 mW 625 mW

静态电流 270 µA - -

上升时间 170 ns - 170ns (Max)

下降时间 90 ns - 90ns (Max)

下降时间(Max) 90 ns 90 ns 90 ns

上升时间(Max) 170 ns 170 ns 170 ns

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 625 mW 625 mW 625 mW

电源电压 10V ~ 20V 10V ~ 20V 10V ~ 20V

电源电压(Max) 20 V 20 V 20 V

电源电压(Min) 10 V 10 V 10 V

产品系列 - - IR2101

长度 5 mm 5 mm 5 mm

宽度 4 mm 4 mm 4 mm

高度 1.5 mm 1.5 mm 1.5 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Each Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -