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6116SA90TDB、CY7C128A-45DMB、6116LA90TDB对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 6116SA90TDB CY7C128A-45DMB 6116LA90TDB

描述 5V 2K x 8 Asynchronous Static RAM2K ×8静态RAM 2K x 8 Static RAM5V 2K x 8 Asynchronous Static RAM

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 存储芯片RAM芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 24 24 24

封装 CDIP-24 CDIP CDIP

存取时间 90 ns 45 ns -

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ -

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -

电源电压(Max) 5.5 V - -

电源电压(Min) 4.5 V - -

供电电流 - 125 mA -

位数 - 8 -

存取时间(Max) - 45 ns -

长度 32.51 mm - 32.5 mm

宽度 7.62 mm - 7.62 mm

高度 3.56 mm - -

封装 CDIP-24 CDIP CDIP

厚度 3.56 mm - 3.56 mm

工作温度 55℃ ~ 125℃ -55℃ ~ 125℃ -

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tube - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead - Contains Lead

ECCN代码 - 3A001.a.2.c -