IPP80N06S205AKSA1、STP80NF55-06、STP141NF55对比区别

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型号 IPP80N06S205AKSA1 STP80NF55-06 STP141NF55

描述 TO-220AB N-CH 55V 80ASTMICROELECTRONICS  STP80NF55-06  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 55 V, 6.5 mohm, 10 V, 3 VN沟道55V - 0.0065Ω - 80A - D2PAK - I2PAK - TO- 220的STripFET ™II功率MOSFET N-channel 55V - 0.0065Ω - 80A - D2PAK - I2PAK - TO-220 STripFET™ II Power MOSFET

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

极性 N-CH N-Channel N-CH

耗散功率 300 W 300 W 300 W

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V

连续漏极电流(Ids) 80A 80.0 A 80A

上升时间 21 ns 155 ns 150 ns

输入电容(Ciss) 5110pF @25V(Vds) 4400pF @25V(Vds) 5300pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 300 W 300 W

下降时间 20 ns 65 ns 45 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 300W (Tc) 300W (Tc) 300W (Tc)

额定电压(DC) - 55.0 V -

额定电流 - 80.0 A -

通道数 - 1 -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.0065 Ω -

阈值电压 - 3 V -

漏源击穿电压 - 55.0 V -

栅源击穿电压 - ±20.0 V -

长度 10 mm 10.4 mm 10.4 mm

宽度 4.4 mm 4.6 mm 4.6 mm

高度 15.65 mm 9.15 mm 9.15 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

ECCN代码 - - EAR99