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CY7C1420AV18-250BZC、CY7C1420BV18-250BZC、CY7C1420KV18-250BZXC对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY7C1420AV18-250BZC CY7C1420BV18-250BZC CY7C1420KV18-250BZXC

描述 36兆位的DDR - II SRAM的2字突发架构 36-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture36兆位的DDR - II SRAM的2字突发架构 36-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst ArchitectureCY7C1420KV18 系列 36 Mb (1 M x 36) 1.7 - 1.9 V DDR II SRAM - FBGA-165

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 存储芯片存储芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 165 165 165

封装 FBGA-165 FBGA-165 FBGA-165

位数 36 - 36

存取时间(Max) 0.45 ns - 0.45 ns

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V

电源电压(Max) 1.9 V - -

电源电压(Min) 1.7 V - -

供电电流 - - 490 mA

时钟频率 - - 250 MHz

存取时间 - 0.45 ns 0.45 ns

高度 0.89 mm 0.89 mm -

封装 FBGA-165 FBGA-165 FBGA-165

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tray Tray Tray

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead Lead Free

ECCN代码 3A991.b.2.a - 3A991.b.2.a