NTMFS4833NT1G、NTMFS4935NT1G、NTMFS4833NT3G对比区别

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型号 NTMFS4833NT1G NTMFS4935NT1G NTMFS4833NT3G

描述 ON SEMICONDUCTOR  NTMFS4833NT1G  场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 191A, DFN5N 通道功率 MOSFET，30V，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON SemiconductorN 通道功率 MOSFET，30V，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON Semiconductor

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 5 8 5

封装 SO-FL-8 SOIC-8 SO-FL-8

通道数 1 1 1

漏源极电阻 0.0013 Ω 0.0027 Ω 0.002 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 125 W 48 W 125 W

阈值电压 1.5 V 1.63 V 1.5 V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 30 V - 30.0 V

连续漏极电流(Ids) 191 A - 191 A

上升时间 34 ns 20 ns 34 ns

输入电容(Ciss) 5600pF @12V(Vds) 4850pF @15V(Vds) 5600pF @12V(Vds)

下降时间 17 ns 6.6 ns 17 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 910mW (Ta), 125W (Tc) 930mW (Ta), 48W (Tc) 910mW (Ta), 125W (Tc)

针脚数 5 8 -

额定功率(Max) 910 mW 930 mW -

输入电容 5600pF @12V - -

长度 4.9 mm 5.1 mm 5.1 mm

宽度 5.8 mm 6.1 mm 5.8 mm

高度 1 mm 1.1 mm 1.1 mm

封装 SO-FL-8 SOIC-8 SO-FL-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 2016/06/20 2015/12/17

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

ECCN代码 EAR99 - EAR99