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MCP652T-E/SN、MCP652-E/SN、TSV358AIDT对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MCP652T-E/SN MCP652-E/SN TSV358AIDT

描述 50兆赫, 6毫安运算放大器, MCAL 50 MHz, 6 mA Op Amps with mCalMCP651/652/653/654/655/659 Operational Amplifiers### 运算放大器,Microchip运算放大器 - 运放 Rail/Rail Low Power

数据手册 ---

制造商 Microchip (微芯) Microchip (微芯) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 放大器、缓冲器运算放大器放大器、缓冲器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

电源电压(DC) 2.50V (min) 2.50V (min) -

工作电压 - 2.5V ~ 5.5V -

供电电流 6 mA 6 mA 500 µA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

共模抑制比 84 dB 65 dB 65 dB

静态电流 - 9 mA -

输入补偿漂移 2.50 µV/K 2.50 µV/K -

带宽 - 50 MHz -

转换速率 - 30.0 V/μs 600 mV/μs

增益频宽积 50 MHz 50 MHz 1.4 MHz

输入补偿电压 200 µV 200 µV 100 µV

输入偏置电流 6 pA 6 pA 70 nA

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

增益带宽 - 50 MHz 1.4 MHz

共模抑制比(Min) 65 dB 65 dB 65 dB

电源电压 2.5V ~ 5.5V 2.5V ~ 5.5V -

输出电流 150 mA - 80mA @5V

长度 - 4.9 mm 5 mm

宽度 - 3.9 mm 4 mm

高度 - 1.25 mm 1.65 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - - EAR99