IXTH76N25T、IXTP76N25T、IXTA76N25T对比区别

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型号 IXTH76N25T IXTP76N25T IXTA76N25T

描述 N-Channel 250V 76A 39 mO Through Hole Power Mosfet - TO-247TO-220 N-CH 250V 76AD2PAK N-CH 250V 76A

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-247-3 TO-220-3 TO-263-3

通道数 - 1 1

漏源极电阻 - 39 mΩ 42 mΩ

极性 - N-CH N-CH

耗散功率 460W (Tc) 460 W 460 W

漏源极电压(Vds) 250 V 250 V 250 V

漏源击穿电压 - 250 V 250 V

连续漏极电流(Ids) - 76A 76A

上升时间 25 ns 25 ns 25 ns

输入电容(Ciss) 4500pF @25V(Vds) 4500pF @25V(Vds) 4500pF @25V(Vds)

下降时间 29 ns 29 ns 29 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) 460W (Tc) 460W (Tc) 460W (Tc)

阈值电压 - - 5 V

额定功率(Max) 460 W - -

封装 TO-247-3 TO-220-3 TO-263-3

长度 - - 9.65 mm

宽度 - - 10.41 mm

高度 - - 4.83 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free