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554AG000668DGR、SI5513DC-T1-GE3、SI5513CDC-T1-GE3对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 554AG000668DGR SI5513DC-T1-GE3 SI5513CDC-T1-GE3

描述 XTAL OSC VCXO 3.3V 8SMDMOSFET N/P-CH 20V 3.1A 1206-8Trans MOSFET N/P-CH 20V 4A/2.4A

数据手册 ---

制造商 Silicon Labs (芯科) Vishay Siliconix Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

封装 SMD-8 SMD-8 SMD-8

漏源极电压(Vds) - 20 V 20 V

额定功率(Max) - 1.1 W 3.1 W

输入电容(Ciss) - - 285pF @10V(Vds)

频率稳定度 ±20 ppm - -

电源电压 3.3 V - -

封装 SMD-8 SMD-8 SMD-8

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free