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BC369G、BC369ZL1G、BC369对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC369G BC369ZL1G BC369

描述 电压和电流均为负 Voltage and Current are Negative电压和电流均为负 Voltage and Current are NegativeSmall Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), PNP

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) SynSemi

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 3 3 -

封装 TO-226-3 TO-226-3 -

频率 - 65 MHz -

额定电压(DC) -20.0 V -20.0 V -

额定电流 -1.00 A -1.00 A -

额定功率 - 800 mW -

极性 PNP PNP -

耗散功率 625 mW 0.625 W -

击穿电压(集电极-发射极) 20 V 20 V -

集电极最大允许电流 1A 1A -

最小电流放大倍数(hFE) 85 @500mA, 1V 85 @500mA, 1V -

额定功率(Max) 625 mW 625 mW -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 625 mW 625 mW -

封装 TO-226-3 TO-226-3 -

长度 5.2 mm - -

宽度 4.19 mm - -

高度 5.33 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Bulk Tape -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

ECCN代码 - EAR99 -