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IS61WV25632BLL-10BLI、IS64WV25632BLL-10BA3对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS61WV25632BLL-10BLI IS64WV25632BLL-10BA3

描述 静态随机存取存储器 8Mb 256Kx32 10ns Async 静态随机存取存储器Standard SRAM, 256KX32, 10ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13 MM, 0.80 MM PITCH, MINI, BGA-90

数据手册 --

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 存储芯片

基础参数对比

引脚数 90 90

封装 BGA-90 BGA

安装方式 Surface Mount -

位数 32 32

存取时间(Max) 10 ns 10 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃

供电电流 90 mA -

存取时间 10 ns -

电源电压 2.4V ~ 3.6V -

封装 BGA-90 BGA

产品生命周期 Active Unknown

包装方式 Tray -

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 无铅 -

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -

ECCN代码 EAR99 -