CM30TF-12H、MG30J6ES50、MWI30-06A7对比区别

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型号 CM30TF-12H MG30J6ES50 MWI30-06A7

描述 Trans IGBT Module N-CH 600V 30A 17PinN CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS)Trans IGBT Module N-CH 600V 45A 140000mW 18Pin E2

数据手册 ---

制造商 Powerex Toshiba (东芝) IXYS Semiconductor

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管

安装方式 Chassis - Chassis

封装 Module - E2

引脚数 - - 18

极性 N-Channel - -

耗散功率 150 W - 140000 mW

击穿电压(集电极-发射极) 600 V - 600 V

输入电容(Cies) 3nF @10V - 1.6nF @25V

额定功率(Max) 150 W - 140 W

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -40 ℃

耗散功率(Max) - - 140000 mW

封装 Module - E2

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 - - Bulk

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead - Lead Free

工作温度 - - -40℃ ~ 150℃ (TJ)

ECCN代码 - - EAR99