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UGB10DCTHE3/81、VT10200C-E3/4W、UGB10DCTHE3/45对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 UGB10DCTHE3/81 VT10200C-E3/4W UGB10DCTHE3/45

描述 整流器 10 Amp 200 Volt 20ns Dual 55 Amp IFSMDiode Schottky 200V 10A 3Pin(3+Tab) TO-220AB TubeRectifiers 10A 200V 20ns Dual 55A IFSM

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 二极管阵列二极管阵列二极管阵列

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount

封装 TO-263-3 TO-220-3 TO-263-3

正向电压 1.1V @5A 1.6V @5A 1.1V @5A

反向恢复时间 25 ns - 25 ns

正向电压(Max) 1.1V @5A 1.6V @5A 1.1V @5A

正向电流 - 10 A -

最大正向浪涌电流(Ifsm) - 80 A -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - 40 ℃ -

封装 TO-263-3 TO-220-3 TO-263-3

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

工作温度 - 40℃ ~ 150℃ -