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MT46H128M16LFDD-48 WT:C、MT46H128M32L2KQ-5 WT:B、MT46H128M16LFB7-6 WT:B对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MT46H128M16LFDD-48 WT:C MT46H128M32L2KQ-5 WT:B MT46H128M16LFB7-6 WT:B

描述 DRAM Chip Mobile LPDDR SDRAM 2G-Bit 128M x 16 1.8V 60Pin VFBGADRAM Chip Mobile LPDDR SDRAM 4Gbit 128Mx32 1.8V 168Pin WFBGADRAM Chip Mobile LPDDR SDRAM 2Gbit 128Mx16 1.8V 60Pin VFBGA

数据手册 ---

制造商 Micron (镁光) Micron (镁光) Micron (镁光)

分类 RAM芯片RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

引脚数 60 168 60

封装 BGA-60 WFBGA-168 VFBGA-60

安装方式 Surface Mount - -

工作电压 - 1.80 V 1.80 V

位数 16 32 16

存取时间(Max) 4.8 ns 5ns, 6.5ns 6.5ns, 5ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -25 ℃ -25 ℃ -25 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.95V 1.7V ~ 1.95V 1.7V ~ 1.95V

供电电流 130 mA 150 mA -

存取时间 5.0 ns - -

封装 BGA-60 WFBGA-168 VFBGA-60

工作温度 -25℃ ~ 85℃ (TA) -25℃ ~ 85℃ (TA) -25℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tray - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99 -