锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

1N6474、JAN1N6474、1N5646A对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N6474 JAN1N6474 1N5646A

描述 高SUGRE性能为瞬态保护对于大部分关键电路。 HIGH SUGRE CAPACITY PROVIDES TRANSIENT PROTECTION FOR MOST CRITICAL CIRCUITS.Diode TVS Single Uni-Dir 30.5V 1.5kW 2Pin Case G1500 WATT单向瞬态电压抑制器 1500 WATT UNIDIRECTIONAL TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 二极管TVS二极管二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 2 2 2

封装 G G DO-13

钳位电压 47.5 V 47.5 V 49.9 V

测试电流 1 mA 1 mA 1 mA

脉冲峰值功率 1500 W 1500 W 1500 W

最小反向击穿电压 33 V 33 V 34.2 V

击穿电压 33 V 33 V 34.2 V

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -65 ℃

封装 G G DO-13

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -65℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Bag Bag Bag

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead Contains Lead

ECCN代码 - - EAR99