VI20120C-E3/4W、VI20120C-M3/4W、NTSB20120CT-1G对比区别

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型号 VI20120C-E3/4W VI20120C-M3/4W NTSB20120CT-1G

描述 双高压Trench MOS势垒肖特基整流器超低VF = 0.54 V在IF = 5 A Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A肖特基二极管与整流器 20A,120V,TRENCH SKY RECT.肖特基势垒二极管，10A 至 25A，ON Semiconductor### 标准带 NSV- 或 SBR- 前缀的制造商部件号符合 AEC-Q101 汽车等级。### 二极管和整流器，ON Semiconductor

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) ON Semiconductor (安森美)

分类 二极管阵列二极管阵列肖特基二极管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-262-3 TO-262-3 TO-262-3

引脚数 - - 3

正向电压 900mV @10A 900mV @10A 1.1 V

正向电压(Max) 900mV @10A - 1.1 V

正向电流 - - 20 A

最大正向浪涌电流（Ifsm） - - 120 A

正向电流(Max) - - 20 A

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -40 ℃

封装 TO-262-3 TO-262-3 TO-262-3

长度 - - 10.31 mm

宽度 - - 4.7 mm

高度 - - 9.65 mm

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

工作温度 - - -40℃ ~ 150℃