FDG6303N、FDG6313N、SI1902DL-T1-E3对比区别

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型号 FDG6303N FDG6313N SI1902DL-T1-E3

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDG6303N  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 500 mA, 25 V, 0.34 ohm, 4.5 V, 800 mVFDG6313N 复合场效应管 25V 500mA/0.5A SOT-363/SC70-6 marking/标记 33h双N通道20 -V （D -S ）的MOSFET Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) VISHAY (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6 6

封装 SC-70-6 SC-70-6 SC-70-6

额定电压(DC) 25.0 V 25.0 V -

额定电流 500 mA 500 mA -

漏源极电阻 0.34 Ω 340 mΩ 0.32 Ω

极性 N-Channel, Dual N-Channel N-Channel N-Channel, Dual N-Channel

耗散功率 300 mW 300 mW 0.3 W

输入电容 50.0 pF 50.0 pF -

栅电荷 340 pC 1.64 nC -

漏源极电压(Vds) 25 V 25 V 20 V

漏源击穿电压 25.0 V 25.0 V 20.0 V

栅源击穿电压 8.00 V 8.00 V ±12.0 V

连续漏极电流(Ids) 500 mA 500 mA 660 mA

上升时间 8.5 ns 8.50 ns 16 ns

输入电容(Ciss) 50pF @10V(Vds) 50pF @10V(Vds) -

额定功率(Max) 300 mW 300 mW 270 mW

针脚数 6 - 6

阈值电压 800 mV - 1.5 V

下降时间 13 ns - 10 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 0.3 W - 300 mW

封装 SC-70-6 SC-70-6 SC-70-6

长度 2 mm - -

宽度 1.25 mm - -

高度 1 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

最小包装 - - 3000

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

香港进出口证 NLR - -