STD4NK50Z-1、STW20NK50Z、SPP08N80C3对比区别

高亮显示差异参数

型号 STD4NK50Z-1 STW20NK50Z SPP08N80C3

描述 STMICROELECTRONICS  STD4NK50Z-1  晶体管, MOSFET, N沟道, 1.5 A, 500 V, 2.3 ohm, 10 V, 3.75 VN 通道 MDmesh™ SuperMESH™，250V 至 650V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsINFINEON  SPP08N80C3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8 A, 800 V, 0.56 ohm, 10 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-251-3 TO-247-3 TO-220-3

额定电压(DC) - 500 V 800 V

额定电流 - 17.0 A 8.00 A

额定功率 45 W 190 W 104 W

通道数 1 1 1

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 2.3 Ω 0.23 Ω 0.56 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 45 W 190 W 104 W

阈值电压 3.75 V 3.75 V 3 V

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 800 V

连续漏极电流(Ids) 1.50 A 17.0 A 8.00 A

上升时间 7 ns 20 ns 15 ns

输入电容(Ciss) 310pF @25V(Vds) 2600pF @25V(Vds) 1100pF @100V(Vds)

额定功率(Max) 45 W 190 W 104 W

下降时间 11 ns 15 ns 7 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 45W (Tc) 190W (Tc) 104W (Tc)

输入电容 - 2600 pF -

漏源击穿电压 - 500 V -

栅源击穿电压 - ±30.0 V -

长度 6.6 mm 15.75 mm 10.36 mm

宽度 2.4 mm 5.15 mm 4.4 mm

高度 6.2 mm 20.15 mm 15.95 mm

封装 TO-251-3 TO-247-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2014/06/16 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 EAR99